STU10NM65N
Anmodning Pris & Lead Time
STU10NM65N er tilgængelige, vi kan levere STU10NM65N, brug anmodningsformularen til at anmode om STU10NM65N pirce og leveringstid.Atosn.com en professionel distributør af elektroniske komponenter.Vi har stor lagerbeholdning og kan levere hurtig, Kontakt os i dag, og vores salgsrepræsentant giver dig pris og forsendelsesoplysninger på del # STU10NM65N. Inkluder fortoldningsproblemer, der passer til dit land, Vi har professionelt salgsteamog teknisk team, vi ser frem til at arbejde sammen med dig.
Anmodning Citat
Produkt paramters
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverandør Device Package
- I-PAK
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 480 mOhm @ 4.5A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 90W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Pakke / tilfælde
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Driftstemperatur
- 150°C (TJ)
- Monteringstype
- Through Hole
- Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Blyfri Status / RoHS Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
- 850pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET-funktion
- -
- Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
- 10V
- Afløb til Source Voltage (VDSS)
- 650V
- Detaljeret beskrivelse
- N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
- Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
Lignende produkter
- STMicroelectronics STU10NM65N
- STU10NM65N datablad
- STU10NM65N datablad
- STU10NM65N pdf datablad
- Download STU10NM65N datablad
- STU10NM65N-billede
- STU10NM65N del
- ST STU10NM65N
- STMicroelectronics STU10NM65N