Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > STW33N60M2
STW33N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
Blyfri / RoHS-kompatibel
Anmodning Pris & Lead Time
STW33N60M2 er tilgængelige, vi kan levere STW33N60M2, brug anmodningsformularen til at anmode om STW33N60M2 pirce og leveringstid.Atosn.com en professionel distributør af elektroniske komponenter.Vi har stor lagerbeholdning og kan levere hurtig, Kontakt os i dag, og vores salgsrepræsentant giver dig pris og forsendelsesoplysninger på del # STW33N60M2. Inkluder fortoldningsproblemer, der passer til dit land, Vi har professionelt salgsteamog teknisk team, vi ser frem til at arbejde sammen med dig.
Anmodning Citat
Produkt paramters
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverandør Device Package
- TO-247
- Serie
- MDmesh™ II Plus
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 125 mOhm @ 13A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 190W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Pakke / tilfælde
- TO-247-3
- Andre navne
- 497-14293-5
STW33N60M2-ND
- Driftstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Monteringstype
- Through Hole
- Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrikantens standard ledetid
- 42 Weeks
- Blyfri Status / RoHS Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
- 1781pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 45.5nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET-funktion
- -
- Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
- 10V
- Afløb til Source Voltage (VDSS)
- 600V
- Detaljeret beskrivelse
- N-Channel 600V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
- Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
- 26A (Tc)
Lignende produkter
- STMicroelectronics STW33N60M2
- STW33N60M2 datablad
- STW33N60M2 datablad
- STW33N60M2 pdf datablad
- Download STW33N60M2 datablad
- STW33N60M2-billede
- STW33N60M2 del
- ST STW33N60M2
- STMicroelectronics STW33N60M2