Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > STD80N6F6
STD80N6F6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V DPAK
Blyfri / RoHS-kompatibel
Anmodning Pris & Lead Time
STD80N6F6 er tilgængelige, vi kan levere STD80N6F6, brug anmodningsformularen til at anmode om STD80N6F6 pirce og leveringstid.Atosn.com en professionel distributør af elektroniske komponenter.Vi har stor lagerbeholdning og kan levere hurtig, Kontakt os i dag, og vores salgsrepræsentant giver dig pris og forsendelsesoplysninger på del # STD80N6F6. Inkluder fortoldningsproblemer, der passer til dit land, Vi har professionelt salgsteamog teknisk team, vi ser frem til at arbejde sammen med dig.
Anmodning Citat
Produkt paramters
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverandør Device Package
- DPAK
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.5 mOhm @ 40A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 120W (Tc)
- Emballage
- Original-Reel®
- Pakke / tilfælde
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Andre navne
- 497-13942-6
- Driftstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Monteringstype
- Surface Mount
- Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Blyfri Status / RoHS Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
- 7480pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 122nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET-funktion
- -
- Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
- 10V
- Afløb til Source Voltage (VDSS)
- 60V
- Detaljeret beskrivelse
- N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
- Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
Lignende produkter
- STMicroelectronics STD80N6F6
- STD80N6F6 datablad
- STD80N6F6 datablad
- STD80N6F6 pdf datablad
- Download STD80N6F6 datablad
- STD80N6F6-billede
- STD80N6F6 del
- ST STD80N6F6
- STMicroelectronics STD80N6F6