Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > STP80N6F6
STP80N6F6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V TO-220
Blyfri / RoHS-kompatibel
Anmodning Pris & Lead Time
STP80N6F6 er tilgængelige, vi kan levere STP80N6F6, brug anmodningsformularen til at anmode om STP80N6F6 pirce og leveringstid.Atosn.com en professionel distributør af elektroniske komponenter.Vi har stor lagerbeholdning og kan levere hurtig, Kontakt os i dag, og vores salgsrepræsentant giver dig pris og forsendelsesoplysninger på del # STP80N6F6. Inkluder fortoldningsproblemer, der passer til dit land, Vi har professionelt salgsteamog teknisk team, vi ser frem til at arbejde sammen med dig.
Anmodning Citat
Produkt paramters
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Teknologi
- MOSFET (Metal Oxide)
- Leverandør Device Package
- TO-220
- Serie
- Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.8 mOhm @ 50A, 10V
- Power Dissipation (Max)
- 120W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Pakke / tilfælde
- TO-220-3
- Andre navne
- 497-13976-5
STP80N6F6-ND
- Driftstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Monteringstype
- Through Hole
- Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Blyfri Status / RoHS Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
- 7480pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 122nC @ 10V
- FET Type
- N-Channel
- FET-funktion
- -
- Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On)
- 10V
- Afløb til Source Voltage (VDSS)
- 60V
- Detaljeret beskrivelse
- N-Channel 60V 110A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
- Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C
- 110A (Tc)
Lignende produkter
- STMicroelectronics STP80N6F6
- STP80N6F6 datablad
- STP80N6F6 datablad
- STP80N6F6 pdf datablad
- Download STP80N6F6 datablad
- STP80N6F6-billede
- STP80N6F6 del
- ST STP80N6F6
- STMicroelectronics STP80N6F6